一种NiO:Ag/TiOx异质pn结二极管

本发明公开了一种NiO:Ag/TiOx异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，所述pn结在Si衬底上生长p型NiO:Ag薄膜以及n型TiOx薄膜得到异质pn结。本发明利用磁控溅射工艺在Si衬底上制备NiO:Ag/TiOx异质pn结二极管，最后采用磁控溅射或热蒸发法在pn结上制作电极。本发明中异质pn结二极管具有较高的反向击穿电压、较大的正向电流密度，而且其制备方法工艺简单。

1.一种NiO:Ag/TiOx异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，其特征在于：所
述pn结是由p型NiO:Ag薄膜和n型TiOx薄膜而得到的异质pn结； 采用NiO:Ag₂O陶瓷靶和TiO₂
陶瓷靶，利用磁控溅射工艺在Si衬底上制备NiO:Ag薄膜和TiOx薄膜形成异质pn结； 制备
NiO:Ag薄膜，采用氧分压O₂/(O₂+Ar)=0％-100％，溅射气压为0.5-2Pa，溅射功率为100-
200W； 镀膜时间均为20-120min，衬底温度从RT变化至600^oC，退火温度从200^oC变化至
700^oC； 制备TiOx薄膜，采用氧分压O₂/(O₂+Ar)=0％-100％； 溅射气压为0.5-2Pa，溅射功率
为50-200W； 镀膜时间均为20-120min，衬底温度从RT变化至600^oC； 退火温度从200 ^oC变化
至700^oC。
2.权利要求1所述NiO:Ag/TiOx异质pn结二极管的制备方法，其特征在于：采用溅射法
或热蒸发法在pn结上制作电极；其中，NiO:Ag和TiOx表面沉积银，镍，铝或金电极。