双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法

本发明公开了一种双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法，该方法包括：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底上依次生长缓冲层、下包层、亚集电极层、集电极层、基极层、量子阱有源区层、发射极层、上包层以及接触层；步骤3：制作该单片集成器件的激光器单元；步骤4：制作该单片集成器件的晶体管单元。利用本发明，由于激光器与双极型晶体管具有相同的材料结构以及制作工艺，所以大大简化了该种类型光电单片集成器件的制作。

1.一种双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底上依次生长构成该器件的各层所需的材料，其中构成该器件的各层包括缓冲层、下包层、亚集电极层、集电极层、基极层、量子阱有源区层、发射极层、上包层以及接触层；步骤3：利用步骤2所生长的材料结构制作该单片集成器件的激光器单元；步骤4：利用步骤2所生长的材料结构制作该单片集成器件的晶体管单元。
2.根据权利要求1所述的双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法，其特征在于，所述衬底是InP衬底，或是GaAs衬底，或是GaN衬底，或是SiC衬底，或是Si衬底；
3.根据权利要求1所述的双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法，其特征在于，所述量子阱有源区层生长在所述基极层与发射极层之间，或者生长在所述基极层之中。
4.根据权利要求1所述的双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法，其特征在于，所述量子阱有源区中阱材料厚度为7～12nm，垒材料厚度为6～15nm，有源区量子阱的个数为1～7个。
5.根据权利要求1所述的双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法，其特征在于，所述晶体管单元具有制作在接触层之上的发射极电极、制作在基极之上的基极电极以及制作在亚集电极层之上的集电极电极三个电极。
6.根据权利要求5所述的双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法，其特征在于，所述激光器单元的三个电极在电极材料方面和所处的材料层位置方面与晶体管单元完全相同。
7.根据权利要求1所述的双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法，其特征在于，所述激光器单元具有长度大于100微米及端面反射率大于30％的谐振腔，量子阱有源区层能够提供足够的增益从而实现激光发射。
8.根据权利要求1所述的双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法，其特征在于，所述激光器单元是多纵模激光器，或者是分布反馈单纵模激光器。