电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法

本发明公开了一种电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法，包括：选择一磷化铟衬底；在磷化铟衬底上外延制作多量子阱有源区；在多量子阱有源区上制作一光栅；在多量子阱有源区和光栅上生长光限制层；在光限制层上生长电接触层；在电接触层上制作P面电极；在P面电极上横向制作出两条电极隔离沟，该两条电极隔离沟之间为自脉动激光器的第一分布反馈激光器，一侧为自脉动激光器的第二分布反馈激光器，另一侧为电吸收调制器；衬底减薄后在整个管芯的底部制作N面电极；在管芯的一端蒸镀高反射膜，另一端蒸镀抗反射薄膜，完成器件的制作。利用本发明，降低了ROF系统发射器的功率损耗和制作成本，提高了系统的稳定性。

1.一种电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法，其特征在于，该方法包括：1)、选择一磷化铟衬底；2)、在磷化铟衬底上外延制作多量子阱有源区；3)、在多量子阱有源区上制作一光栅；4)、在多量子阱有源区和光栅上生长光限制层；5)、在光限制层上生长电接触层；6)、在电接触层上制作P面电极；7)、在P面电极上横向制作出两条电极隔离沟，该两条电极隔离沟之间为自脉动激光器的第一分布反馈激光器，一侧为自脉动激光器的第二分布反馈激光器，另一侧为电吸收调制器；其中所述自脉动激光器由两个分步反馈激光器组成；8)、衬底减薄后在整个管芯的底部制作N面电极；9)、在管芯第二分布反馈激光器的一端蒸镀高反射膜，在管芯的电吸收调制器一端蒸镀抗反射薄膜，完成器件的制作；其中，所述抗反射薄膜用于减小镀膜端面对光向器件内部的反射，且该方法进一步结合弯曲波导及倾斜波导技术来减小电吸收调制器一端的反射。
2.根据权利要求1所述的电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法，其特征在于，步骤2中所述多量子阱有源区为铟镓砷磷材料，厚度为70～120纳米。
3.根据权利要求1所述的电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法，其特征在于，步骤3中所述在多量子阱有源区上制作的光栅，位于多量子阱有源区的一端，其长度为多量子阱有源区长度的三分之二，其周期根据器件的发射波长而确定。
4.根据权利要求1所述的电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法，其特征在于，步骤3中所述在多量子阱有源区上制作的光栅，其在第一分步反馈激光器和第二分步反馈激光器部分的布拉格波长相同，或者有一个2纳米的偏调。
5.根据权利要求4所述的电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法，其特征在于，所述2纳米的偏调由两个激光器部分不同的光栅周期来引入。
6.根据权利要求1所述的电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法，其特征在于，步骤7中所述在P面电极上横向制作出两条电极隔离沟采用湿法化学腐蚀法实现。