采用间隔物图案化技术制造半导体装置的方法

本发明提供一种制造半导体装置的方法，其使用光学临近效应校正以形成高度集成且不易发生桥接缺陷bridge defect的单元图案。该方法包括：获得单元图案及外围区的外围图案的目标布局，该单元图案在单元区中成行；形成倾斜图案，其交替地重叠单元图案的行，以及形成外围图案的相反图案；附着间隔物至倾斜图案及相反图案的侧壁；通过充填间隔物之间的间隙，在倾斜图案之间形成第一嵌埋图案，并且在相反图案周围形成第二嵌埋图案；以及通过切割及分割倾斜图案及第一嵌埋图案的中间部分而形成单元图案，并且通过移除相反图案，设定具有第二嵌埋图案的外围图案。