具有自对准垂直LDD和背面漏极的LDMOS

一种场效应晶体管，包括：具有上表面和下表面的第一导电类型的半导体区，半导体区的下表面在衬底上延伸并且与衬底邻接。第二导电类型的阱区设置在半导体区内。该场效应晶体管还包括放置在阱区内的第一导电类型的源区以及在每个阱区上延伸并且与对应的一个源区重叠的栅电极。每个栅电极通过栅极电介质与下部的阱区绝缘。在每两个邻近阱区之间的半导体区中设置了第一半导体类型的至少一个LDD区，使得该至少一个LDD区与之间设置该该至少一个LDD区的两个邻近阱区相接触。下沉区设置在该至少一个LDD区正下方的半导体区中，使得该至少一个LDD区和下沉区在半导体区的上表面和下表面之间沿着垂直方向设置。