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集成电路装置的反熔丝组件

集成电路装置的反熔丝组件

  • 专利类型:发明专利
  • 有效期:不限
  • 发布日期:2020-03-27
  • 技术成熟度:未知
交易价格: ¥面议
  • 法律状态核实
  • 签署交易协议
  • 代办官方过户
  • 交易成功

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  • 技术(专利)类型 发明专利
  • 申请号/专利号 CN201110154229.7 
  • 技术(专利)名称 集成电路装置的反熔丝组件 
  • 项目单位 南亚科技股份有限公司
  • 发明人 何家铭 陈逸男 刘献文  
  • 行业类别 电学
  • 技术成熟度 未知
  • 交易价格 ¥面议
  • 联系人 南亚科技股份有限公司
  • 发布时间 2017-01-18  
  • 01

    项目简介

    一种集成电路装置的反熔丝组件,包括:导电区,位于半导体基板内,该导电区沿第一方向延伸;介电层,位于该导电区的一部份上;第一导电插拴,位于该介电层上;第二导电插拴,位于该导电区的另一部份上;第一导电构件,形成于该第一导电插拴之上,该第一导电构件沿垂直于该第一方向的第二方向延伸;第二导电构件,形成于该第二导电插拴之上,该第二导电构件沿着该第二方向延伸,其中该第一导电构件与该导电区相重叠且其间具有第一重叠区域,而该介电层与该导电区之间具有第二重叠区域,而该第一重叠区域与该第二重叠区域之间具有介于约1.5∶1-3∶1的比例。
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