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一种用于气敏传感器制造的纳米线原位成形方法

一种用于气敏传感器制造的纳米线原位成形方法

  • 专利类型:发明专利
  • 有效期:不限
  • 发布日期:2020-03-27
  • 技术成熟度:未知
交易价格: ¥面议
  • 法律状态核实
  • 签署交易协议
  • 代办官方过户
  • 交易成功

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  • 技术(专利)类型 发明专利
  • 申请号/专利号 CN201310007582.1 
  • 技术(专利)名称 一种用于气敏传感器制造的纳米线原位成形方法 
  • 项目单位 西安交通大学
  • 发明人 邵金友 丁玉成 赵强 胡兵 缪林林 翟海鹏  
  • 行业类别 物理
  • 技术成熟度 未知
  • 交易价格 ¥面议
  • 联系人 西安交通大学
  • 发布时间 2017-01-18  
  • 01

    项目简介

    一种用于气敏传感器制造的纳米线原位成形方法,先进行传感器图形化结构制造,在刚性基材表面均匀制备一层聚合物材料,在聚合物表面制备出具有应力豁口的金属薄膜电极,在此结构上制备出引线电极,然后进行一维纳米间隙结构制造,采用掩模板通过低能电子束对聚合物材料进行曝光,金属薄膜电极将在应力集中的豁口位置形成缝隙结构,然后将制成的缝隙结构置于气体敏感材料纳米粒子的悬浮液中,在金属薄膜电极两侧施加交变电场,纳米粒子形成纳米线,最后完成纳米线两端连接对电极的传感器制造;本发明解决了纳米线气敏传感器中纳米线的组装和安放的问题,达到传感器制造的批量化、低成本和一致性等制造技术属性要求。
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