一种高压直流发光二极管芯片结构及其制造方法

本发明公开了一种高压直流发光二极管芯片的制造方法及其结构。在外延生长前先将生长衬底定义为多个单元区间，清洗生长衬底；利用外延横向生长技术进行外延生长，使每个单元区间上生长的外延层相互电隔离，每个单元区间的外延层之间形成沟道；在外延层表面涂敷一层有机薄膜作为阻挡层；在所述沟道内填充介质材料；进行CMP平坦化处理，CMP抛光至阻挡层；清洗表面，去除阻挡层，最终平坦化外延表面；最后制作P、N电极将多个芯片单元串联在一起，形成由多个芯片单元串联而成的器件。本发明可以以增加串联芯片个数的方式增加芯片的输入功率，从而减小了pn结在大电流工作状态下的热损伤，防止了当流过pn结的电流密度过大时光效下降。