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在硅片正面上形成栅极的方法

在硅片正面上形成栅极的方法

  • 专利类型:发明专利
  • 有效期:不限
  • 发布日期:2020-03-27
  • 技术成熟度:未知
交易价格: ¥面议
  • 法律状态核实
  • 签署交易协议
  • 代办官方过户
  • 交易成功

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  • 技术(专利)类型 发明专利
  • 申请号/专利号 CN201080022316.0 
  • 技术(专利)名称 在硅片正面上形成栅极的方法 
  • 项目单位 E.I.内穆尔杜邦公司
  • 发明人 R·D·安德森 K·W·杭 高世铭 G·劳迪辛奥 林政男 吴隽夔  
  • 行业类别 电学
  • 技术成熟度 未知
  • 交易价格 ¥面议
  • 联系人 E.I.内穆尔杜邦公司
  • 发布时间 2017-01-18  
  • 01

    项目简介

    本发明涉及在具有ARC层的硅片上形成正面栅极的方法,所述方法包括以下步骤:1印刷并干燥金属浆料A,所述金属浆料A包含具有0.5-8重量%玻璃料的无机成分并且具有烧透能力,其中所述金属浆料A印刷在所述ARC层上以形成底层的薄的平行指状线,2在所述底层指状线上印刷并干燥金属浆料B,所述金属浆料B包含具有0.2-3重量%玻璃料的无机成分,其中所述金属浆料B印刷成网格图案,所述网格图案包括:i薄的平行指状线,所述薄的平行指状线形成叠加在所述底层指状线上方的顶层指状线以及ii与所述指状线以直角相交的母线,以及3焙烧所述双面印刷的硅片,其中与所述金属浆料A的无机成分相比,所述金属浆料B的无机成分包含较少的玻璃料和任选存在的其它无机添加剂。
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