半导体装置

本发明提供—种半导体装置，其具有：第一导电型的半导体层、多个第一沟槽、绝缘层、导电层、第一半导体扩散层、及阳极电极。半导体层，形成于半导体基板上，且具有比第一杂质浓度小的第二杂质浓度；多个第一沟槽，以从半导体层的上表面向下方延伸的方式形成于半导体层中；导电层，以隔着绝缘层埋入第一沟槽的方式形成，且从半导体层的上表面向下方延伸到第一位置；第一半导体扩散层，从位于多个第一沟槽之间的半导体层的上表面起而到达第二位置，且具有比第二杂质浓度小的第三杂质浓度；阳极电极，与第一半导体扩散层进行肖特基接合。从半导体层的上表面到第二位置的长度为从半导体层的上表面到第一位置的长度的12以下。