王宏兴教授在日本期间作为高级研究员，团队负责人，技术顾问先后参加和主持了日本通产省，日本学术振兴机构以及日本有关大型公司的重大科研项目和产学研结合项目。回国后主持科技部“863计划”等重大项目。     王宏兴教授在III-V族半导体薄膜外延生长及发光器件，大面积金刚石衬底及高质量金刚石薄膜外延生长，碳纳米场致发射阴极、场致发射光源及其他场致发射电子器件，MOCVD设计开发、 特殊直流CVD设计开发、微波等离子体CVD的设计开发等领域做出了许多创新性工作。在Carbon，Journal of crystal growth等杂志和刊物发表文章50余篇，申请日本、美国专利80余项。在2008年的“the Society for Information Display”SID’08 的国际会议上，作为第一作者，发表的文章获得优秀论文奖（论文发表者900人）。1995年作为主要人员获得电子工业部科技进步二等奖，该项目获得国家科技进步三等奖。