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单层金属结构二硫化钼\\\/氧化还原石墨烯复合物及其制备方

单层金属结构二硫化钼\\\/氧化还原石墨烯复合物及其制备方

  • 专利类型:发明专利
  • 有效期:不限
  • 发布日期:2021-02-04
  • 技术成熟度:已有样品
交易价格: ¥面议
  • 法律状态核实
  • 签署交易协议
  • 代办官方过户
  • 交易成功

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  • 技术(专利)类型 发明专利
  • 申请号/专利号  
  • 技术(专利)名称 单层金属结构二硫化钼\\\/氧化还原石墨烯复合物及其制备方 
  • 项目单位 陕西科技大学
  • 发明人 陕西科技大学 
  • 行业类别 化学、冶金
  • 技术成熟度 已有样品
  • 交易价格 ¥面议
  • 联系人 陕西科技大学
  • 发布时间 2019-10-23  
  • 01

    项目简介

    MoS2有半导体(2H)和金属(1T)两种结构。金属结构的1T-MoS2具有优异的光电性能,特别是高导电性能。作为析氢催化材料性能与2H结构相比,具有显著较高的电催化析氢性能和长期稳定性。作为电池电极材料与2H结构相比,具有显著高的倍率性能和库伦效率和显著低电化学阻抗。与石墨烯复合产生的界面效应更能显著增强析氢催化和电池电极性能。目前1T-MoS2通常是应用复杂的化学和物理分层工艺对大块2H-MoS2进行分层制备。甚至应用一些分层方法得到的片状单层MoS2仍然是2H结构。而且各种化学和物理分层方法工艺复杂、成本高、效率低。本成果是一种应用低温工艺制备1T-MoS2纳米片和1T-MoS2纳米片\/RGO复合结构,该工艺具有简单、低成本、高效和环保的优点。
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