InGaN太阳能电池及其制作方法

一种InGaN太阳能电池及其制作方法，包括：一衬底；一GaN缓冲层制作在衬底上；一N型GaN欧姆接触层制作在GaN缓冲层上；一本征InGaN吸收层制作在N型GaN欧姆接触层上面的一侧，N型GaN欧姆接触层的另一侧形成一台面；一GaN保护层制作在本征InGaN吸收层上；一P型GaN层制作在低温GaN保护层上；一P型GaN欧姆接触层制作在P型GaN层上；一电流扩展层制作在P型GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在电流扩展层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在N型GaN欧姆接触层的台面上。本发明具有提高InGaN太阳能电池效率的优点。

1.一种InGaN太阳能电池，包括：一衬底；一GaN缓冲层，该GaN缓冲层制作在衬底上；一N型GaN欧姆接触层，该N型GaN欧姆接触层制作在GaN缓冲层上；一本征InGaN吸收层，该本征InGaN吸收层制作在N型GaN欧姆接触层上面的一侧，N型GaN欧姆接触层的另一侧形成一台面；一GaN保护层，该GaN保护层制作在本征InGaN吸收层上；一P型GaN层，该P型GaN层制作在低温GaN保护层上；一P型GaN欧姆接触层，该P型GaN欧姆接触层制作在P型GaN层上；一电流扩展层，该电流扩展层制作在P型GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极，该P型欧姆接触电极制作在电流扩展层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在N型GaN欧姆接触层的台面上。
2.根据权利要求1所述的InGaN太阳能电池，其中所述的衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓。
3.根据权利要求1所述的InGaN太阳能电池，其中GaN保护层的生长温度为700-800℃，厚度为5nm-10nm；该GaN保护层的生长温度与本征InGaN吸收层的生长温度相同。
4.根据权利要求1所述的InGaN太阳能电池，其中所述的P型欧姆接触电极和N型欧姆接触电极的形状是点状结构或者环形结构。
5.一种InGaN太阳能电池的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在衬底上利用外延设备依次生长GaN缓冲层、N型GaN欧姆接触层、本征InGaN吸收层、GaN保护层、P型GaN层和P型GaN欧姆接触层；步骤2：在P型GaN欧姆接触层上面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达N型GaN欧姆接触层的表面，使N型GaN欧姆接触层的表面一侧形成台面；步骤3：在P型GaN欧姆接触层上蒸镀电流扩展层；步骤4：在电流扩展层上制作P型欧姆电极；步骤5：在N型GaN欧姆接触层的台面上制作N型欧姆电极，完成太阳能电池的制作。
6.根据权利要求5所述的InGaN太阳能电池的制作方法，其中所述的衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓。
7.根据权利要求5所述的InGaN太阳能电池的制作方法，其中GaN保护层的生长温度为700-800℃，厚度为5nm-10nm；该GaN保护层的生长温度与本征InGaN吸收层的生长温度相同。
8.根据权利要求5所述的InGaN太阳能电池的制作方法，其中所述的P型欧姆接触电极和N型欧姆接触电极的形状是点状结构或者环形结构。