刻蚀残留的检测方法和系统、谱线模型的建立方法和系统

本发明提供了一种刻蚀残留的检测方法和系统、谱线模型的建立方法和系统，其中的刻蚀残留的检测方法包括：获取待检测硅片的谱线；根据与所述待检测硅片相同刻蚀工艺的谱线模型，检测所述待检测硅片的刻蚀残留；所述谱线模型为依据与所述刻蚀工艺相应的完整刻蚀硅片的多个样本谱线建模得到，其中，所述完整刻蚀硅片为不带有刻蚀残留的硅片。本发明能够满足大批量生产的情况，可在刻蚀工艺结束后自动快速检测到出现刻蚀残留问题的wafer，从而能够避免出现刻蚀残留问题的wafer流入后道工序，不但节省了生产成本，而且提高了半导体器件的良率。