一种晶圆制造方法

本发明针对现有晶圆制造方法中存在的在晶圆的背表面和亚表面上产生损伤以及残余应力并进而对晶圆正面的半导体器件性能产生不良影响的问题，提供了一种晶圆制造方法，能够消弱在晶圆的背表面和亚表面上所产生的损伤以及残余应力对晶圆正面的半导体器件性能的不良影响。本发明提供一种晶圆制造方法，该工艺包括：选用SOI材料作为衬底，其中，所述SOI材料包括用于制造半导体器件的器件层、用于支撑所述衬底的支撑层以及位于所述器件层和所述支撑层之间的绝缘层，并且所述器件层的厚度为晶圆制造完成后的目标厚度；在所述器件层上制造半导体器件；去除所述支撑层；采用刻蚀工艺去除所述绝缘层。