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MEMS巨磁阻式高度压力传感器

MEMS巨磁阻式高度压力传感器

  • 专利类型:发明专利
  • 有效期:不限
  • 发布日期:2020-03-27
  • 技术成熟度:未知
交易价格: ¥面议
  • 法律状态核实
  • 签署交易协议
  • 代办官方过户
  • 交易成功

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  • 技术(专利)类型 发明专利
  • 申请号/专利号 CN201210404330.8 
  • 技术(专利)名称 MEMS巨磁阻式高度压力传感器 
  • 项目单位 清华大学 中北大学
  • 发明人 李孟委 刘泽文 刘双红 孙剑文  
  • 行业类别 物理
  • 技术成熟度 未知
  • 交易价格 ¥面议
  • 联系人 清华大学 中北大学
  • 发布时间 2017-01-18  
  • 01

    项目简介

    一种MEMS巨磁阻式高度压力传感器,包括键合基板、设置在键合基板上方的铁磁性薄膜承载体、设置在铁磁性薄膜承载体的弹性薄膜的下表面的中心位置的铁磁性薄膜、设置在键合基板上表面中心位置的与铁磁性薄膜正对的巨磁敏电阻以及固定在铁磁性薄膜承载体上方的保护罩,保护罩上表面的中间设置连通保护罩的内腔和外界的接触孔,被测压力通过接触孔作用在铁磁性薄膜承载体的硅弹性薄膜上并使其发生Z向弯曲,从而带动铁磁性薄膜发生Z向移动,导致其产生的磁场发生微弱变化,引起巨磁敏电阻阻值发生剧烈变化,电阻值变化引起测量电路中相应电路的电流或电压变化,实现对被测压力的测量,由于海拔与压力之间有一定的关系,通过测得的压力就可以得到海拔高度。
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