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一种阵列式X射线传感器及其制作方法

一种阵列式X射线传感器及其制作方法

  • 专利类型:发明专利
  • 有效期:不限
  • 发布日期:2020-03-27
  • 技术成熟度:未知
交易价格: ¥面议
  • 法律状态核实
  • 签署交易协议
  • 代办官方过户
  • 交易成功

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  • 技术(专利)类型 发明专利
  • 申请号/专利号 CN201210363594.3 
  • 技术(专利)名称 一种阵列式X射线传感器及其制作方法 
  • 项目单位 浙江大学
  • 发明人 许超群 孙颖 朱大中 韩雁  
  • 行业类别 电学
  • 技术成熟度 未知
  • 交易价格 ¥面议
  • 联系人 浙江大学
  • 发布时间 2017-01-18  
  • 01

    项目简介

    本发明公开了一种阵列式X射线传感器,包括光电管阵列和闪烁晶体;光电管阵列包括P+衬底和P-外延层,P-外延层上嵌设有若干阵列排布的有源区块;P-外延层上铺设有氧化层,氧化层中开有若干接触通孔,氧化层上设有若干与有源区块对应的金属电极对;闪烁晶体上开有网格状的光隔离槽,闪烁晶体底部设有与网格状光隔离槽对应的网格状消光层。本发明的双结深光电管阵列具有低漏电流和高的动态范围,提高了传感器对微弱荧光信号的探测能力;闪烁晶体通过空气隙光隔离槽和网格状消光层分割形成的像素单元减少了相邻光电管之间的荧光串扰现象,增加了相邻传感单元之间的光隔离度。同时本发明还公开了上述X射线传感器的制作方法。
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