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电子器件及其制造方法

电子器件及其制造方法

  • 专利类型：发明专利
  • 有效期：不限
  • 发布日期：2020-03-27
  • 技术成熟度：未知
交易价格： ￥面议
  • 法律状态核实
  • 签署交易协议
  • 代办官方过户
  • 交易成功

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  • 技术(专利)类型 发明专利
  • 申请号/专利号 CN201110132426.9 
  • 技术(专利)名称 电子器件及其制造方法 
  • 项目单位 纳普拉有限公司
  • 发明人 关根重信 关根由莉奈 桑名良治  
  • 行业类别 电学
  • 技术成熟度 未知
  • 交易价格 ￥面议
  • 联系人 纳普拉有限公司
  • 发布时间 2017-01-18  

  • 01

    项目简介

    提供一种电子器件及其制造方法，具有高性能及高功能、良好的高频特性、对降低成本有效的绝缘结构。半导体基板1具有在其厚度方向上延伸的纵孔30。绝缘物填充层3是通过向纵孔30内进行填充以覆盖其内周面而成的环状层。纵导体2由填充到被绝缘物填充层3所包围的区域20内的凝固金属体而成。绝缘填充层3是具有有机绝缘物或以玻璃为主成分的无机绝缘物、和具有纳米复合材料结构的陶瓷的层。纳米复合材料结构的陶瓷的常温电阻率超过10
    展开

  • 02

    说明书

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