基于半导体的超材料制备方法和基于半导体的超材料

本发明提供了一种基于半导体的超材料制备方法，该方法包括：在衬底上形成半导体层；根据预设电磁参数，在所述半导体层中掺入杂质；在所述半导体层上涂覆一层光刻胶；以具有预设微结构阵列的模板作为掩膜板对所述光刻胶进行光刻；将光刻胶上光刻后形成的图形转移到所述半导体层上；去除涂覆在所述半导体层上的光刻胶，获得超材料。本发明实施例还提供了一种基于半导体的超材料。以得到微结构可控性能更高、也更符合设计要求的超材料。