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基于半导体的超材料制备方法和基于半导体的超材料

基于半导体的超材料制备方法和基于半导体的超材料

  • 专利类型:发明专利
  • 有效期:不限
  • 发布日期:2020-11-23
  • 技术成熟度:未知
交易价格: ¥面议
  • 法律状态核实
  • 签署交易协议
  • 代办官方过户
  • 交易成功

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  • 技术(专利)类型 发明专利
  • 申请号/专利号 CN201110145881.2 
  • 技术(专利)名称 基于半导体的超材料制备方法和基于半导体的超材料 
  • 项目单位 深圳光启高等理工研究院 深圳光启创新技术有限公司
  • 发明人 刘若鹏 赵治亚  
  • 行业类别 电学
  • 技术成熟度 未知
  • 交易价格 ¥面议
  • 联系人 深圳光启高等理工研究院 深圳光启创新技术有限公司
  • 发布时间 2017-01-18  
  • 01

    项目简介

    本发明提供了一种基于半导体的超材料制备方法,该方法包括:在衬底上形成半导体层;根据预设电磁参数,在所述半导体层中掺入杂质;在所述半导体层上涂覆一层光刻胶;以具有预设微结构阵列的模板作为掩膜板对所述光刻胶进行光刻;将光刻胶上光刻后形成的图形转移到所述半导体层上;去除涂覆在所述半导体层上的光刻胶,获得超材料。本发明实施例还提供了一种基于半导体的超材料。以得到微结构可控性能更高、也更符合设计要求的超材料。
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