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浮区法生长大尺寸Ta2O5单晶的方法

浮区法生长大尺寸Ta2O5单晶的方法

  • 专利类型:发明专利
  • 有效期:2021-10-27至2023-10-27
  • 发布日期:2021-10-27
  • 技术成熟度:详情咨询
交易价格: ¥面议
  • 法律状态核实
  • 签署交易协议
  • 代办官方过户
  • 交易成功

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  • 技术(专利)类型 发明专利
  • 申请号/专利号 201110257469.X 
  • 技术(专利)名称 浮区法生长大尺寸Ta2O5单晶的方法 
  • 项目单位 北京工业大学
  • 发明人 蒋毅坚,徐宏,范修军,王越. 
  • 行业类别 人类生活必需品
  • 技术成熟度 详情咨询
  • 交易价格 ¥面议
  • 联系人 黄女士
  • 发布时间 2021-10-27  
  • 01

    项目简介

    浮区法生长大尺寸Ta2O5单晶的方法,属于晶体生长领域。包括以下步骤:将Ta2O5粉料经过球磨、烘干;装入橡胶管中,放入等静压下压制成素坯棒;将素坯棒经烧结后获得多晶棒;将素坯棒或多晶棒作为料棒,并将多晶棒或Ta2O5单晶作为籽晶,籽晶和料棒在竖直方向成一直线,其接触点与卤素灯处于同一水平线上;升温速率为30~60℃/分钟至料棒和籽晶融化,调整料棒和籽晶的转速和旋转方向,接种;通过聚焦镜的移动或上下棒的移动,使熔区远离聚焦点,使熔区温度下降实现结晶,晶体生长速度10~60mm/h;生长完的晶体冷却至室温。本发明生长周期短,制备效率高,能够快速生长厘米量级、无宏观缺陷、高质量Ta2O5单晶。

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  • 02

    说明书

    浮区法生长大尺寸Ta2O5单晶的方法,属于晶体生长领域。包括以下步骤:将Ta2O5粉料经过球磨、烘干;装入橡胶管中,放入等静压下压制成素坯棒;将素坯棒经烧结后获得多晶棒;将素坯棒或多晶棒作为料棒,并将多晶棒或Ta2O5单晶作为籽晶,籽晶和料棒在竖直方向成一直线,其接触点与卤素灯处于同一水平线上;升温速率为30~60℃/分钟至料棒和籽晶融化,调整料棒和籽晶的转速和旋转方向,接种;通过聚焦镜的移动或上下棒的移动,使熔区远离聚焦点,使熔区温度下降实现结晶,晶体生长速度10~60mm/h;生长完的晶体冷却至室温。本发明生长周期短,制备效率高,能够快速生长厘米量级、无宏观缺陷、高质量Ta2O5单晶。

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