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专利名称:
运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备
发明人:
周旭亮;于红艳;王宝军;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4190
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专利名称:
倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法
发明人:
周旭亮;于红艳;王宝军;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4220
立即咨询
专利名称:
采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法
发明人:
周旭亮;于红艳;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4180
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专利名称:
锗基赝砷化镓衬底的制备方法
发明人:
周旭亮;于红艳;潘教青;朱洪亮;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4257
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专利名称:
测量肖特基势垒高度的装置和方法
发明人:
刘宗顺;赵德刚;陈平;江德生
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4120
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专利名称:
多孔高分子薄膜生物芯片的制作方法
发明人:
韩伟静;俞育德;李运涛;周晓光;孙英男;魏清泉
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:3942
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专利名称:
基于法布里珀罗腔的光纤传感器
发明人:
徐团伟;李芳;刘育梁
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4152
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专利名称:
一种光纤涡街流量计
发明人:
张文涛;李芳
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4426
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专利名称:
基于相移光纤光栅的光纤传感系统
发明人:
徐团伟;李芳;刘育梁
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4219
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专利名称:
硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法
发明人:
周旭亮;于红艳;李士颜;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4230
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专利名称:
自组织单量子点的定位方法及装置
发明人:
尚向军;倪海桥;査国伟;喻颖;李密峰;王莉娟;徐建星;牛智川
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4209
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专利名称:
InGaN太阳能电池及其制作方法
发明人:
李亮;赵德刚;江德生;刘宗顺;陈平;吴亮亮;乐伶聪;杨辉
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:3869
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专利名称:
一种光纤激光涡街流量计
发明人:
张文涛;李芳
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4123
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专利名称:
一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法
发明人:
周旭亮;于红艳;李梦珂;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4262
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专利名称:
在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法
发明人:
査国伟;李密锋;喻颖;王莉娟;徐建星;尚向军;倪海桥;贺振宏;牛智川
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:3988
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专利名称:
在硅上集成HEMT器件的方法
发明人:
米俊萍;周旭亮;于红艳;李梦珂;李士颜;潘教青
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4330
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专利名称:
硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法
发明人:
周旭亮;于红艳;李士颜;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4397
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专利名称:
硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法
发明人:
周旭亮;于红艳;李梦珂;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4172
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专利名称:
低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法
发明人:
周旭亮;于红艳;米俊萍;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4300
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专利名称:
在Si基上制备InP基HEMT的方法
发明人:
李士颜;周旭亮;于鸿艳;李梦珂;米俊萍;潘教青
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4307
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