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专利名称:
ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法
发明人:
李梦珂;周旭亮;于红艳;李士颜;米俊萍;潘教青
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4009
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专利名称:
在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法
发明人:
李士颜;周旭亮;于红艳;李梦珂;米俊萍;潘教青
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4039
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专利名称:
制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法
发明人:
喻颖;査国伟;徐建星;尚向军;李密锋;倪海桥;贺振宏;牛智川
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4156
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专利名称:
激光无线输能系统
发明人:
韩培德;邢宇鹏;娄世殊;李小将;李怡勇
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:3951
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专利名称:
一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法
发明人:
李密锋;喻颖;贺继方;査国伟;尚向军;倪海桥;贺振宏;牛智川
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4129
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专利名称:
改善硅纳米线太阳能电池性能的方法
发明人:
曾湘波;王凌潇;张晓东;杨萍;李浩;谢小兵;王启明
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4245
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专利名称:
一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法
发明人:
周旭亮;于红艳;李士颜;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:3938
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专利名称:
一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法
发明人:
米俊萍;周旭亮;于红艳;李梦珂;李士颜;潘教青
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4039
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专利名称:
基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法
发明人:
喻颖;李密锋;贺继方;査国伟;徐建星;尚向军;王莉娟;倪海桥;贺振宏;牛智川
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4383
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专利名称:
一种水下传感器链快速布放的方法
发明人:
卢宝莉;王永杰;戴兴;刘元辉;李芳;刘育梁
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4039
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专利名称:
含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池
发明人:
杨静;赵德刚;陈平;刘宗顺;江德生
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4019
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专利名称:
一种硅基微腔激光器的制作方法
发明人:
周旭亮;于红艳;李梦珂;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4241
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专利名称:
NMOS器件及其制备方法
发明人:
李梦珂;周旭亮;于红艳;李士颜;米俊萍;潘教青
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4319
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专利名称:
InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构
发明人:
杨静;赵德刚;乐伶聪;李晓静;何晓光
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4294
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专利名称:
一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法
发明人:
杨敏;种明;赵德刚;王晓勇;苏艳梅;孙捷;孙秀艳
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4028
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专利名称:
利用AFM的探针制备图形衬底的定位纳米压印系统
发明人:
査国伟;牛智川;倪海桥;尚向军;贺振宏
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4260
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专利名称:
一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法
发明人:
周旭亮;于红艳;李士颜;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4431
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专利名称:
基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法
发明人:
王莉娟;喻颖;査国伟;徐建星;倪海桥;牛智川
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4241
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专利名称:
含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的背入射太阳能电池
发明人:
杨静;赵德刚;李亮;吴亮亮;乐伶聪;李晓静;何晓光
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4323
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专利名称:
一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法
发明人:
赵丹梅;赵德刚;江德生;刘宗顺;陈平
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:3982
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