掺氟氧化锡薄膜的制备方法

本发明公开了一种成本更低、工艺更简单的利用射频磁控溅射技术制备掺氟氧化锡薄膜的方法，该方法包括如下步骤：a、将二氧化锡粉末和氟化物混合均匀，然后干燥；b、用步骤a干燥后的混合物制得粉末靶，然后安装于溅射仪的射频靶上；将基底材料进行清洗、干燥后安装于溅射仪真空室的样品位置上；c、开始溅射过程，制得掺氟氧化锡薄膜。本发明制备方法简单，生产成本低，制得的FTO薄膜也实现了较好的透光与导电性能，综合指标FTC值较高，具有良好的应用前景。

1.掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
a、将二氧化锡粉末和氟化物混合均匀，然后干燥；
b、用步骤a干燥后的混合物制得粉末靶，然后安装于溅射仪的射频靶上；将基底材料进
行清洗、干燥后安装于溅射仪真空室的样品位置上；
c、开始溅射过程，制得掺氟氧化锡薄膜。
2.根据权利要求1所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于：步骤a中干燥的温
度为50～300℃。
3.根据权利要求2所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于：步骤a中干燥的温
度为100～200℃。
4.根据权利要求1所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于：溅射过程中，真空
室气氛为0.5～10Pa的氩气，氩气供气压力为0.1～5MPa。
5.根据权利要求4所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于：预溅射时间为
0.5~4h，正式溅射时间为20～50min，溅射功率为100～200W，靶距为15～40mm。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于：所述
粉末靶中氟的含量为0.1～2％。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于：步骤
a中所述氟化物为氟化铵、氟氢化铵或氟化氢溶液中的至少一种。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于：步骤
b中所述基底材料为玻璃、石英、硅晶片或高分子柔性基底。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于：步骤
c制得掺氟氧化锡薄膜后将薄膜静置在空气中至少30分钟。
10.根据权利要求1至5中任一项所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于：溅
射过程中电源采用射频电源。