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一种熔盐法晶体生长用密闭单晶生长炉

一种熔盐法晶体生长用密闭单晶生长炉

  • 专利类型:发明专利
  • 有效期:不限
  • 发布日期:2020-03-27
  • 技术成熟度:未知
交易价格: ¥面议
  • 法律状态核实
  • 签署交易协议
  • 代办官方过户
  • 交易成功

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  • 技术(专利)类型 发明专利
  • 申请号/专利号 CN201110195895.5 
  • 技术(专利)名称 一种熔盐法晶体生长用密闭单晶生长炉 
  • 项目单位 中国科学院理化技术研究所
  • 发明人 刘丽娟 王晓洋 刘春雷 陈创天  
  • 行业类别 化学、冶金
  • 技术成熟度 未知
  • 交易价格 ¥面议
  • 联系人 中国科学院理化技术研究所
  • 发布时间 2017-01-18  
  • 01

    项目简介

    熔盐法晶体生长用密闭单晶生长炉包括:绕有电阻丝的陶瓷套管式炉膛;位于炉膛外的密闭桶形空心双层不锈钢外炉壳;装于炉壳内与炉膛间的耐火保温砖棉;穿过炉壳伸至炉膛外壁的热电偶;盖于炉膛上端口的耐火保温砖炉盖;炉盖中心和两侧设第一垂向中心通孔和观察孔;炉壳内装循环流动的冷却水;炉壳壁上设抽气和进气口;炉壳盖中心设与第一垂向中心通孔相对的第二垂向中心通孔和石英玻璃窗口;炉壳内充氛围气;磁流体设于炉壳上方,与炉壳用波纹管连接;籽晶杆穿过磁流体与万向结连接,通过万向结固定在晶转头上;可使晶体在气氛气下生长,减少杂质进入晶体,改善晶体光学性质,去除晶体在紫外光谱区产生的非本征吸收,提高晶体紫外激光输出功率。
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